日本210億美元赴美建晶圓廠 美政府補貼轉股權
據路透社、法新社報道，美國半導體製造商格芯10月14日宣佈，日本將出資高達210億美元，在紐約州興建最多兩座晶圓廠。此舉是日美重大投資協議落地的最新成果，美國政府也將藉此取得格芯7%的股權，開創政府將補貼資金轉化為國家資產的先例。根據雙方協議，首座12英寸（300毫米）晶圓廠預計於2026年內開工，計劃2029年投產，首期投資約100億美元。格芯高管透露，合作伙伴將在2028年底前決定是否推進第二座晶圓廠建設。新廠全面投產後，預計每年可為美國新增約90萬片300毫米晶圓產能，成為美國規模最大的半導體生產基地之一，併為紐約州創造超過1000個製造崗位。
格芯首席執行官布林透露，根據最新安排，美國政府持股比例將升至7%。美國政府此前已持有格芯3%的股份。美國總統特朗普隨後在Truth Social發文稱，政府先前向格芯提供16.3億美元撥款補貼，如今持有的7%股權價值已超20億美元。特朗普表示：“我們是首個將補貼轉化為美國實際收益的政府。”
此項聯合投資是日美經貿協議的一部分。日本此前承諾向美國投資5500億美元，以換取美方將日本汽車及其他進口商品關税從至少25%下調至15%。目前，日本已宣佈兩批總額超1000億美元的對美投資項目。
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